Da Intel e Micron memorie nand flash da 34 nanometri

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Intel e Micron hanno presentato oggi le prime memorie NAND Flash realizzate con processo costruttivo da 34 nanometri, in grado di raddoppiare la quantità  di dati memorizzabili a parità  di ingombro fisico dei chip. Dispositivi portatili e HD Flash più capienti

Intel e Micron annunciano di essere prossime al passaggio alla tecnologia a 34 nanometri per le loro memorie Flash.

Il balzo in avanti in termini di tecnologia costruttiva permetterà  di realizzare componenti più piccole di un’unghia e ma capaci di memorizzare 4 GB di dati su ogni singolo chip. Grazie a questo nuove memorie i costruttori di dispositivi digitali potranno realizzare dispositivi più capienti mantenendo invariate forme e dimensioni.

Oltre ai dispositivi portatili, le nuove memoria NAND Flash da 34 nanometri possono essere utilizzare per realizzare i dischi fissi allo stato solido, superando così la barriera dei 256 GB di capacità . Intel è interessata fortemente a questo settore visto che ha annunciato il prossimo lancio di dischi con memorie allo stato solido in grado di arrivare proprio a 256 GB di capacità .

Le consegne dei primi esemplari sono previste per il mese di giugno, mentre la produzione di grandi quantità  è prevista per la seconda metà  dell’anno.