Da Samsung il primo chip 1 gigabit DRAM a 80 nanometri per i dispositivi mobili

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Samsung Korea ha presentato al mondo il primo chip di memoria DRAM con densità  da 1 Gbit , costruito con processo a 80 nanometri, progettato per i dispositivi mobili e tascabili

Nel comunicato ufficiale Samsung dichiara che il nuovo chip risulta più economico rispetto alle memorie oggi utilizzate, che integrano due chip da 512 megabit per offrire la stessa capacità  del nuovo singolo chip.

Secondo le dichiarazioni del gigante dell’€™elettronica il nuovo chip di memoria DDR a basso voltaggio è in grado di consumare il 30 per cento in meno di energia. Questo grazie a una nuova funzione connessa alla sensibilità  rispetto alla temperatura. In pratica il tipico refresh delle memorie che permette di conservare e mantenere i dati inalterati in questo tipo di RAM viene compensato automaticamente in base alla temperatura, riuscendo a ottimizzare il processo e, infine, riducendo sensibilmente i consumi di energia in modalità  Stand-by. Da cui appunto un consumo inferiore di circa il 30 per cento rispetto ai chip di memoria tradizionali.

Il nuovo chip risulta più compatto del 20 per cento se confrontato alle attuali soluzioni, permettendo così di integrare maggiori quantitativi di DRAM in dispositivi compatti, la cui domanda è prevista in forte crescita per il 2007, in particolare macchine fotografiche, lettori multimediali portatili e console di gioco tascabili.
[A cura di L. M. Grandi]