Una memoria flash che non si degrada e che può essere scalata a livelli di miniaturizzazione tali da dare prospettive di enorme crescita in termini di capacità . Ecco la tecnologia allo studio di un gruppo di scienziati giapponesi grazie alla quale verranno superati due dei più importanti limiti di questo tipo di dispositivi di archiviazione sempre più diffusi. Ad annunciare importanti passi avanti in questa direzione è l’istituto Nazionale della scienza industriale avanzata e della tecnologia dell’università di Tokyo.
Il primo vantaggio delle flash ferroelettriche è la durata. Al contrario delle memorie oggi in commercio che possono essere riscritte per ogni cella circa 10mila volte prima di perdere di efficienza se non cessare direttamente di funzionare, quelle giapponesi possono essere scritte cento milioni di volte, il che porta la loro durata a centinaia di anni invece che a una decina di anni. Per raggiungere questo scopo è stato sviluppato un particolare sistema che ridistribuisce la lettura e scrittura in maniera intelligente e che elimina l’utilizzo di celle danneggiate senza bloccare il funzionamento dell’intera memoria. Grazie a questa particolare resistenza le memorie ferroelettriche possono essere portate a 10 nanometri; le memorie tradizionali, che scalando in dimensione diventano più delicate, probabilmente non potranno essere ridotte al di sotto dei 20 nanometri.
Infine le memorie dell’università di Tokyo consumano anche circa tre volte meno di quelle tradizionali, il che è molto rilevante nel contesto del loro impiego in tutti i dispositivi alimentati a batteria.
