Infineon all’inseguimento di Samsung nelle memorie Dram

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L’azienda specializzata nei chip di memoria inizia la lavorazione a 90 nanometri su wafer di 300 millimetri nello stabilimento di Dresda. L’obiettivo del produttore europeo è di raggiungere i coreani nel mercato delle memorie di massa.

Diecimila volte più sottili di un capello umano. La barriera dei 90 nanometri, raggiunta per quanto riguarda la lavorazione delle Cpu, è presente anche nel portfolio dei prodotti di memoria di Infineon, il più grande produttore europeo di memorie volatili, in forte competizione con gli altri giganti del settore e – soprattutto – Samsung.

Lo stabilimento di Dresda ha infatti iniziato la produzione di memorie Dram su wafer da 300 millimetri a 90 nanometri, iniziando la via che porterà  per la fine dell’anno all’abbandono della produzione a 110 nanometri. L’obiettivo è quello di rimanere competitivi con Samsung, ma anche di portare sul mercato un prodotto all’altezza delle esigenze dei principali vendor di tecnologia.

La riduzione della dimensione dei circuiti su di un wafer di silicio vuol dire più velocità , minori consumi e maggior capacità  di memoria a parità  di superficie. Le memorie Dram prodotte da Infineon, giungendo seconde sul mercato di produzione di massa per l’approvvigionamento di chip di memoria dei produttori di personal computer, avranno anche l’effetto di portare a un aumento dei volumi e un abbassamento complessivo dei prezzi sul mercato diretto e sull’aftermarket, con ovvi benefici per gli utenti finali.