Intel e Numonyx hanno annunciato un importante sviluppo nella ricerca sulle memorie a cambiamento di fase, indicate con la sigla PCM da Phase Change Memory. Si tratta di una nuova tecnologia di memoria non volatile, che combina molti dei vantaggi dei vari tipi di memoria oggi disponibili. Per la prima volta i ricercatori hanno presentato un chip di testing da 64 megabit che offre la possibilità di collocare più strati di array di PCM in un singolo die (stack). Questa scoperta prepara il terreno per la creazione di dispositivi di memoria con una maggiore capacità , un consumo energetico ridotto e un risparmio di spazio per le RAM (Random Access Memory) non volatili e le applicazioni di memorizzazione.Â
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Questi risultati sono stati ottenuti tramite un programma di ricerca avviato in collaborazione da Numonyx e Intel, con l’obiettivo di studiare gli array di celle PCM a più strati. Grazie allo sviluppo annunciato oggi congiuntamente da Intel e Numonyx risulta possibile incrementare la densità di memoria mantenendo le caratteristiche prestazionali delle memorie a cambiamento di fase, un traguardo sempre più difficile da raggiungere con le tecnologie di memoria tradizionali.
“I risultati sono estremamente promettenti” ha dichiarato Greg Atwood, Senior Technology Fellow di Numonyx. “Dimostrano infatti le potenzialità disponibili per lo sviluppo di array scalabili e ad alta densità e di modelli di utilizzo simili a NAND per i prodotti PCM nel futuro. Si tratta di un aspetto importante, in quanto le tradizionali tecnologie della memoria flash incontrano determinati limiti fisici e problemi di affidabilità , anche se la domanda di memoria continua a crescere in tutti i segmenti, dai telefoni cellulari ai data center”.
