Samsung ha presentato un nuovo tipo di memoria flash che può raggiungere un velocità fino a 30 volte quella dei moduli in vendita al giorno d’oggi. La PRAM, questo il suo nome, è simile per concezione alle memorie NAND (usate nei lettori di musica digitale) e alle NOR (di comune impiego in dispositivi come i cellulari), è quindi in grado di ritenere i dati anche una volta che si toglie la corrente, ma ha una struttura particolare che la rende molto più rapida quando si tratta di leggere e scrivere il suo contenuto e riduce le dimensioni dei moduli.
In pratica, al contrario delle NAND e delle NOR le memorie PRAM (Phase-change Ram) non devono cancellare le informazioni in esse contenute prima di caricare nuovi dati, il che elimina un passaggio, riducendo i tempi d’accesso. Le minori dimensioni sono garantite dall’impilamento in verticale dei diodi e dalla struttura tridimensionale dei transistor.
Le memorie PRAM saranno in vendita a partire dal 2008.
Samsung ha anche presentato nuove memorie NAND basate su circuiti da 40 nanometri. Grazie all’affinamento dei circuiti sarà possibile proporre al mercato moduli da 32 GB. Attualmente i moduli di maggiori dimensioni disponibili sul mercato sono da 16 GB; con questo tipo di componenti (abbinate due a due) sono stati realizzati i primi HD basati su flash presentati in anteprima nei mesi scorsi. Un modulo da 32 GB, una volta che i suoi costi saranno scesi a prezzi abbordabili, potrebbe essere facile produrre dischi fissi con capacità paragonabili a quelle dei dischi tradizionali, basati su piatti magnetici.
