Intel ha annunciato ieri di avere dato il via alla distribuzione in volumi del primo dispositivo di memoria flash NOR da 90 nanometri disponibile nel settore.
La nuova memoria cellulare Intel StrataFlash M18 offre prestazioni più elevate, una maggiore densità e un consumo di energia ridotto rispetto alla precedente versione a 130 nm ed é destinata al mondo dei telefoni cellulari dotati di fotocamera, display a colori, accesso al Web a video.
Intel è anche riuscita ad incrementare la densità dei chip che ora arrivano anche a 512 MB. Con velocità di scrittura fino a 0,5 MB/secondo, il prodotto M18 supporta fotocamere a 3 megapixel e consuma un terzo dell’energia per la programmazione e circa la metà per la cancellazione rispetto ai prodotti della generazione precedente, e offre una nuova modalità di funzionamento Deep Power Down per prolungare la durata della batteria. Gli OEM potranno trarre vantaggio dai costi di produzione inferiori che risultano da velocità di programmazione in fabbrica fino a tre volte più elevate rispetto alle precedenti versioni a 130 nm.
Le memorie NOR (Not OR) sono la controparte a basso costo delle memorie NAND (Not AND). Rispetto alle NAND le memorie NOR perdono terreno quando si tratta di dimensioni e di velocità , ma ora con il lancio delle nuove versioni da 90 nanometri Intel spera di poter soddisfare anche esigenze di produzione cui fino ad oggi non hanno potuto rispondere. Ad esempio Intel potrebbe indurre i produttori di telefoni cellulari ad acquistare le sue memorie NOR senza essere costretti a ricorrere anche alle NAND, come accade oggi, per alcune applicazioni specifiche.
Nonostante i passi avanti in fatto di prestazioni e il basso costo, appare comunque difficile che Intel possa catturare all’uso delle memorie NOR i produttori di player MP3 che non possono ancora rinunciare alla velocità delle NAND e al loro favorevole rapporto tra dimensioni e capienza, nonostante i prezzi più elevati e la difficoltà d’implementazione più elevata.
