Hybrid Memory Cube, IBM produrrà un chip tridimensionale

IBM inizierà la produzione di un nuovo dispositivo di memoria, con tecnologie Through-Silicon Via (TSV) sfruttando un processo di fabbricazione che consente all’Hybrid Memory Cube (HMC) di Micron di raggiungere velocità 15 volte superiori rispetto alla tecnologia attuale. I dettagli della metodologia saranno presentati in occasione dell'IEEE International Electron Devices Meeting, che si terrà a dicembre a Washington DC.

Le parti HMC saranno prodotte presso l'impianto di IBM per la fabbricazione di semiconduttori di East Fishkill, sfruttando la tecnologia high-K metal gate a 32 nm. HMC utilizza tecnologie TSVi che collegano elettricamente una pila di singoli chip per combinare dispositivi logici ad alte prestazioni con la DRAM.

L'ampiezza di banda e l'efficienza fornite dall'HMC rappresentano un grande passo avanti rispetto alle funzionalità dei dispositivi attuali. I prototipi di HMC, permettono di lavorare con un'ampiezza di banda di 128 GigaByte al secondo (GB/s). In confronto, i dispositivi in questo momento più avanzati si attestano a 12,8 GB/s. L'HMC richiede inoltre il 70 per cento di energia in meno per il trasferimento dei dati, pur offrendo un "form factor" piccolissimo, il 10 percento dell'ingombro di una memoria tradizionale. Secondo IBM, HMC consentirà una nuova generazione di prestazioni, in applicazioni che vanno dal networking su grande scala e high-performance computing, all'automazione industriale, fino ai prodotti di consumo.

"La possibilità di usare i TSV nella produzione di CMOS commerciale e di integrare altre tecnologie di chip, come le comunicazioni ad alta velocità, è un progresso chiave nel passaggio verso la fabbricazione di semiconduttori in 3D", spiega Subu Iyer, IBM Fellow; "il processo di fabbricazione TSV che descriveremo in dicembre troverà applicazione al di là della memoria, supportando anche altri segmenti di settore". Per Scott Graham, General Manager di DRAM Solutions per Micron, "HMC è rivoluzionario e offre una soluzione di memoria flessibile, con ampiezza di banda scalabile ed efficienza di alimentazione".