Intel sta già lavorando su CPU con tecnologia costruttive a 14 nm
di Mauro Notarianni | 13-12-2011
Intel sta completando la fase di sviluppo di un processo di produzione di nuova generazione che comporta un'ulteriore riduzione dei circuiti dei chip a 14 nanometri (un miliardesimo di metro). In futuro nuove generazione di CPU basate su transistor ancora più efficienti dal punto di vista energetico, ad alta densità e a elevate prestazioni.
Intel sta già lavorando al processo di produzione di nuova generazione, con conseguente riduzione dei circuiti dei chip a 14 nanometri (un miliardesimo di metro). Lo rivela il sito svedese Nordichardware in seguito a un’intervista con Pat Bliemer, Managing Director di Intel per il Nord Europa. Bliemer afferma che, anche se la tecnologia di produzione sta diventando sempre più difficoltosa, la roadmap di Intel prosegue senza soste con l’usuale tabella di marcia. L’azienda di Santa Claria è stata la prima a sfruttare il processo di produzione a 32 nanometri nei microprocessori e la prima a presentare una nuova generazione di chip prodotti in grandi quantità basati sulla tecnologia di produzione a 22 nanometri (nm) impiegando i transistor tri-gate 3D, la cosiddetta architettura “Ivy Bridge” il cui arrivo è previsto per il prossimo anno. Il dirigente Intel ha evidenziato il balzo in avanti rispetto alla concorrenza, riconosciuto come queste tecnologie stiano diventando sempre più complesse e reso noto come il reparto ricerca & sviluppo di Intel stia facendo enormi passi superando varie limitazioni.
Intel con il balzo a14 nanometri, propone una difficilissima sfida per i concorrenti, alle prese con vari problemi con i processi di produzione sotto i 20 nanometri. Bliemer ha anche confermato che l’azienda è grado di rispettare i tempi di produzione e lancio di prodotti definiti nella strategia “Tick-Tock” (alternanza tra l'introduzione di una microarchitettura dei processori completamente nuova e un processo di produzione all'avanguardia ogni 12 mesi circa) e annunciato l’arrivo di nuove soluzioni nella progettazione dei transistor. I transistor tri-gate si riveleranno per la prima volta nei sistemi costruiti a 22nm ma il loro più pieno sfruttamente - afferma Bliemer - si vedrà nei circuiti a 14 nanometri, offrendo ancora a più potenza e maggiore efficienza.

Categorie: Futuroscopio, Hardware, Nuove Tecnologie
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