Toshiba ha lanciato l’ultimissima generazione della memoria flash tridimensionale (3D) BiCS FLASH con struttura a celle impilate, definito il primo di questo tipo con 64 strati. Il nuovo dispositivo incorpora la tecnologia di 3 bit per cella (cella a triplice livello, triple-level cell o TLC) e raggiunge una capacità di 256 gigabit (32 gigabyte).
Il dispositivo è il successore del BiCS FLASH a 48 layer e offre un icremento del 40% in termini di capacità per chip, permettendo di ridurre il costo per chip e consente di incrementare le memorie prodotte con ogni singolo wafer. Tra i target delle memorie 64-layer BiCS FLASH ci sono dispositivi ad alte prestazioni, incluse unità SSD consumer e enterprise, ma anche smartphone, tablet e memory card.
Annunciate per la prima volta nel giugno del 2007, le memorie flash 3D hanno continuato ad evolversi, crescendo in termini di capacità di archiviazione. Le flash memory 64-layer BiCSsono prodotte nella “Fab 2” di Yokkaichi (nella prefettura di Mie, in Giappone), struttura per la quale è stata recentemente celebrata l’apertura. L’avvio della produzione in massa è prevista per la prima metà del 2017.
Ricordiamo che anche Intel e Micron sono da tempo impegnate sulle memorie flash NAND 3D che promettono miglioramenti tecnologici e capacità tre volte superiore rispetto ad altre tecnologie NAND Flash. Poiché capacità si ottiene posizionando le celle in verticale, le dimensioni delle singole celle possono essere notevolmente più grandi; ottenendo in questo modo un aumento sia delle prestazioni che dell’efficienza.
