IBM , dopo gli annunci dei giorni scorsi di cui anche Macity aveva dato conto ha fornito nuovi dettagli e maggiori chiarimenti sul nuovo tipo di transistor a effetto di campo – il componente basilare della maggior parte dei microchip – che consentirà di avere maggiori prestazioni, più funzionalità e minori consumi di corrente.
Il nuovo transistor, denominato “double-gate”, controllando meglio il flusso di corrente attraverso il source-drain, funziona a una velocità doppia rispetto ai tradizionali transitor a effetto di campo, pur avendo dimensioni decisamente inferiori. La possibilità di un’ulteriore miniaturizzazione rappresenta un aspetto fondamentale, dal momento che la tecnologia tradizionale, per limiti dovuti a leggi fisiche, non sarà in grado di rispondere alle crescenti richieste di prestazioni necessarie allo sviluppo del mondo delle comunicazioni, dei sistemi informativi e dell’elettronica di consumo.
La tecnologia è stata scoperta negli stessa laboratori dove è nato il SOI (Silicon on Insulator), una tecnica per la fabbricazione di chip perfezionato da IBM e attualmente in fase di adozione come standard nel settore della componentistica. Il SOI permette di progettare i transistor secondo modalità finora impensabili, pur mantenendo l’impiego delle normali linee di produzione.
Dal punto di vista tecnico, finora il problema era che con il progressivo ridursi delle dimensioni, il perfetto controllo della commutazione da parte del gate diventava sempre più difficoltoso. Il transistor double-gate di IBM prevede l’adozione di un canale disposto tra due gate, permettendo di controllare meglio il flusso di corrente nel canale stesso e consentendo la fabbricazione di circuiti più piccoli, veloci ed efficienti in termini di consumo.
Il lavoro sui transistor double-gate rappresenta il culmine di una collaborazione condotta da diversi anni tra le due divisioni: IBM Research e IBM Microelectronic. Con questo annuncio è stato dimostrata la reale possibilità di utilizzo del transistor double-gate all’interno di veri chip. IBM ha superato i numerosi problemi associati al disegno di transistor sperimentali – come perdite di corrente, energie necessarie per il funzionamento troppo elevate e cattivo flusso elettrico.
[A cura di Newton ]
