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IBM, nuova tecnologia per PPC più veloci

Processori IBM più veloci fino al 24% e senza incidere sui consumi e le dimensioni dei chip. A rendere possibile l’€™incremento delle prestazioni è l’€™implementazione di un affinamento della tecnologia denominata ‘€œstrained silicon’€, un sistema finalizzato a ordinare gli atomi di silicio in maniera tale da far fluire più rapidamente l’€™energia elettrica da un estremo all’€™altro del transistor.

Il nuovo sistema prevede l’€™utilizzo di una tecnica chiamata dual stresser liner che permette non solo la ‘€œspalmatura’€ di lattice di silicio non solo sui transistor di tipo ‘€œN’€, che portano gli elettroni a carica negativa, come accaduto fino ad oggi nello strained silicon tradizionale, ma anche la compressione del lattice sui transistor di tipo ‘€œP’€ che portano le cariche positive denominate ‘€œholes’€. Questo perché se per i transistor di tipo ‘€œN’€ l’€™ideale è separare e ordinare gli atomi di silicio in maniera tale da far fluire più rapidamente gli elettroni, nei transistor di tipo ‘€œP’€ é l’€™aumento della densità  degli atomi consente alle cariche positive di fluire più rapidamente.

IBM ha collaborato con AMD, uno dei suoi partner, tecnologici per l’€™implementazione di dual stresser liner. La società  di Sunnyvale dovrebbe impiegare per prima il nuovo sistema di strained silicon in sostituzione di una tecnologia similare.

IBM ha annunciato che i sui primi chip ad integrare dual stresser liner saranno sia i processori Power che i PowerPC nel corso della prima metà  del 2005. E’€™ probabile che per quanto riguarda i PPC le capacità  di minor assorbimento energetico e di minor riscaldamento saranno sfruttate per costruire processori G5 adatti al mondo dei portatili.

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