Samsung ha annunciato una nuova tecnologia per l’interconnessione di componenti di memoria che permetterà di creare dispositivi più piccoli e sottili ma più capienti di quelli attuali.
L’uso di chip multipli per creare memorie flash più capienti è piuttosto comune anche oggi. Il problema è che le connessioni tra un chip e l’altro sono attuate con dei micro-cavi che partono dai bordi dei chip; ciò determina un incremento delle dimensioni della componente finita. La nuova tecnologia studiata da Samsung permette di collegare i singoli chip attraverso dei fori nel silicio.
Secondo quanto comunicato dalla casa coreana in questo modo le future memorie saranno del 30% più sottili e del 15% più piccole in larghezza e profondità . In aggiunta la riduzione della lunghezza delle connessioni elettriche incrementerà anche le prestazioni, il che significa chip più veloci ma anche meno “assetati” di energia elettrica.
