Delle MRAM – Magnetoresistive Random Access Memory si parla in modo concreto da circa un anno (tutto ha però avuto inizio oltre trent’anni fa), il nostro primo articolo è giusto di docimi mesi fa, altri ne sono seguiti, ma ora a proporsi come capofila sono IBM e Infineon per la prossima introduzione di queste memorie “veloci” grazie allo sviluppo di tecnologie uteriormente innovative.
Ancora un paio d’anni e la MRAM potrebbe prendere definitivamente il posto delle DRAM, in special modo nei telefoni cellulari e laptop dove i tempi d’attesa del boot dei sistemi è ancora troppo lungo. Con le MRAM si parla di meno di un secondo d’attesa, vien da chiedersi se i sistemi operativi saranno in grado di stare al passo di queste velocità .
Alla base dello storage “non volatile” della memoria nelle MRAM c’è una carica magnetica piuttosto che elettrica come invece accade nelle DRAM e sono veloci come le SRAM ma meno costose.
Al VLSI Symposia di Kyoto IBM e Infineon hanno presentato i nuovi sviluppi tecnologici: la MRAM da 128 KB è stata integrata in una cella dall’area di 1,4 micron quadrati con tecnologia a 0,18 micron, una misura 20 milioni più piccola della testa in gomma di una matita.
Altre aziende impegnate in questo campo sono Motorola, NEC e Toshiba.
Immagini e filmati (AVI) sono disponibili a questo indirizzo: domino.research.ibm.com/comm/bios.nsf/pages/mramvlsi.html.
