Keyvan Esfarjani, technology & manufacturing vicepresidente presso Intel e co-CEO di IM Flash Technologies (IMFT) ha annunciato nel corso dell’Imec Technology Forum che Intel ha un piano per la costruzione di memorie NAND 3D. L’IMFT è una società nata in joint venture tra Intel e Micron, con lo scopo di trovare un modo di spostare i circuiti delle memorie NAND nella terza dimensione.
I recenti sviluppi delle tecnologie di produzione a 20 nanometri permettono in previsione di lavorare a una o due generazioni di memorie NAND di tipo planare; ma la tridimensionalità permetterà di organizzare le memorie come array di canali verticali formando strutture su più livelli con transistor di celle di memoria.
Esfarjani, riconosce che le NAND flash planari sono in questo momento al limite dello scaling, ma ha affermato che sarà possibile procedere ancora per i nodi a 15 e a 10 nanometri e parallelamente, partendo dai 15 nanometri, introdurre le memorie NAND 3D. Sembra che 16 strati non saranno ad ogni modo sufficienti per avere benefici dal punto di vista economico e che saranno necessari 64 o almeno 32 strati.
Lo scaling per due nodi produttivi è reso possibile dalla tecnologia HKMG (High-K Metal Gate) ai 20 nanometri, che sostituisce le celle dwrap-around usate nei nodi produttivi a 34 e 25 nanometri. A detta di Esfarjani in futuro le NAND tridimensionali permetteranno di superare il limite dei 10 nanometri.
