Grazie alle nuove memorie RRAM potremo avere tra le mani smarpthone e tablet con capacità non più nell’ordine dei gigabyte bensì espresse in terabyte. La promessa arriva dai ricercatori della Rice University che ha ideato un nuovo sistema di costruzione per realizzare memorie RAM resistive, da cui la sigla RRAM.
Le nuove RRAM sono in grado di conservare i dati anche in assenza di alimentazione, risultando così simili per l’uso alle attuali memorie NAND Flash, ma rispetto alle RAM e alle Flash offrono una notevole serie di vantaggi. La produzione può avvenire a bassi voltaggi e temperatura ambiente, invece degli alti voltaggi e temperature elevate impiegati attualmente. La costruzione è basata sull’impiego di ossido di silicio poroso in cui i vuoti sono riempiti con oro o platino.
Tra gli altri vantaggi ricordiamo una durata fino a 100 volte superiore e una densità molto più elevata: nelle attuali memorie Flash vengono memorizzati fino a tre bit per cella, invece con le memorie RRAM si arriva fino a 9 bit per cella. Se a questo si aggiunge la possibilità di impilare più strati, si ottiene come risultato la possibilità di stipare 1 TB di capacità nell’ingombro di un francobollo.
I ricercatori hanno precisato che è ancora presto per parlare dell’integrazione della RRAM negli smarpthone, ma l’industria sembra già interessata a questa tecnologia: i primi campi di applicazione saranno nei dispositivi integrati e nelle automobili. Sembra che un contratto di produzione con un importante costruttore di memorie possa venire siglato già entro le prossime settimane.
