Toshiba e SanDisk hanno avviato la seconda fase dell’impianto di produzione di semiconduttori n. 5 (Fab 5) e hanno dato inizio ai lavori di costruzione del nuovo impianto di produzione n. 2 (Fab 2) presso Yokkaichi Operations, impianto di produzione di memorie flash NAND di Toshiba situato nella prefettura di Mie, Giappone.
Nei nuovi stabilimenti per la produzione di semiconduttori saranno prodotte memorie flash NAND realizzate con tecnologia di produzione innovativa e memorie 3D. l produttore ha investito molto per ridurre e ottimizzare i consumi: è prevista illuminazione a LED per le camere bianche e la riduzione del risparmio energetico limitando il calore. La Fab 5 ridurrà del 13% le emissioni di anidride carbonica rispetto alla Fab 4; Toshiba ha migliorato le misure antisismiche e sviluppato un sistema di trasporto automatizzato. Nella Fab 4 sono mensilmente prodotti 800.000 wafer di silicio al mese; i numeri di produzione della Fab 5 saranno probabilmente in linea con la Fab 4.
