Una memoria flash da 100 GB potrebbe diventare una realtà . L’apparizione di un chip che permetterà di creare moduli di oltre 10 volte più capienti di quelli oggi al top arriva da una nuova tecnologia allo studio in Corea e basata sui nanotubi applicati al campo dei processori.
Grazie ad un affinamento e a nuovi studi due scienziati, Choi Hee-cheul e Kim Hyun-tak, sono riusciti a miniaturizzare la circuiteria dei semiconduttori portandola a 10 nanometri, ben al di sotto dei 22 nanometri considerati il limite fisico nel campo delle flash. Nella ricerca pubblicata da Nature Nanotechnology si precisa che il fattore chiave è un nuovo materiale ‘Mott Insulator’ che è in grado di operare sia come isolante che come conduttore.
Il limite raggiungibile da parte di una memoria flash che farà uso di questo tipo di componenti non è chiaro allo stato attuale delle cose ma Choi Hee-cheul ipotizza che, appunto, il limite possa essere spostato a 100 Gb. Simili capienze renderebbero le memorie flash adatte a prendere il posto di altri tipi di supporto, come i dischi fissi ad esempio. Anche se prezzi e tempi di arrivo sul mercato rappresentano un ostacolo non indifferente.
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