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Memorie flash pronte al raddoppio

Raddoppia, potenzialmente, la capacità  massima delle schede di memoria per telefoni, cellulari, macchine fotografiche. Il balzo in avanti è reso possibile dall’avvio della produzione di massa delle prime memorie flash da 4 bit per cella (X4) ad alte prestazioni annunciato oggi congiuntamente da SanDisk e da Toshiba

Sfruttando un processo di fabbricazione a 43 nanometri le due società  specializzate in memorie allo stato solido riescono ad arrivare a 64 gigabit (Gb) di capacità  su un unico chip, il livello più alto mai ottenuto in questo settore. Il nuovo chip flash è capace di una velocità  di trasferimento di 7,8MB/sec. in scrittura grazie ad un controller X4 proprietario e ad uno schema di correzione degli errori (ECC) del tutto nuovo appositamente progettato per l’impiego all’interno di sistemi storage e personalizzato per supportare i 16 livelli di distribuzione richiesti dai 4 bit per cella.

In termini pratici le innovazioni consentiranno di collocare 8 GB di memoria su un singolo chip, il doppio rispetto ad oggi; la prospettiva è quella di realizzare memorie flash da 32 GB a costo più basso di quello attuale o, appunto, schede da 64 GB a costi simili a quelli delle attuali da 32 GB.

L’€™innovazione potrebbe toccare da vicino anche Apple che usa in alcuni dei suoi dispositivi memorie flash di Toshiba. Teoricamente potrebbe essere possibile raddoppiare la quantità  di memoria di un iPod o di un iPhone mantenendo inalterata l’€™occupazione di spazio della componente o abbatterne sensibilmente il costo.

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