Raddoppia, potenzialmente, la capacità massima delle schede di memoria per telefoni, cellulari, macchine fotografiche. Il balzo in avanti è reso possibile dall’avvio della produzione di massa delle prime memorie flash da 4 bit per cella (X4) ad alte prestazioni annunciato oggi congiuntamente da SanDisk e da Toshiba
Sfruttando un processo di fabbricazione a 43 nanometri le due società specializzate in memorie allo stato solido riescono ad arrivare a 64 gigabit (Gb) di capacità su un unico chip, il livello più alto mai ottenuto in questo settore. Il nuovo chip flash è capace di una velocità di trasferimento di 7,8MB/sec. in scrittura grazie ad un controller X4 proprietario e ad uno schema di correzione degli errori (ECC) del tutto nuovo appositamente progettato per l’impiego all’interno di sistemi storage e personalizzato per supportare i 16 livelli di distribuzione richiesti dai 4 bit per cella.
In termini pratici le innovazioni consentiranno di collocare 8 GB di memoria su un singolo chip, il doppio rispetto ad oggi; la prospettiva è quella di realizzare memorie flash da 32 GB a costo più basso di quello attuale o, appunto, schede da 64 GB a costi simili a quelli delle attuali da 32 GB.
L’innovazione potrebbe toccare da vicino anche Apple che usa in alcuni dei suoi dispositivi memorie flash di Toshiba. Teoricamente potrebbe essere possibile raddoppiare la quantità di memoria di un iPod o di un iPhone mantenendo inalterata l’occupazione di spazio della componente o abbatterne sensibilmente il costo.
