Micron Technology, ha annunciato lo sviluppo del suo primo modulo DRAM DDR4 completamente funzionale. La società ha iniziato il campionamento e ricevuto feedback da parte dei clienti più importanti al fine di supportare l’implementazione in applicazioni già nel 2013.
Si prevede che i mercati enterprise e micro-server sfruttino appieno le nuove funzionalità e le specifiche progettate nelle memorie DDR4, accelerando la rapida adozione di questa tecnologia. La rapida crescita di client ultrasottili e dei mercati tablet trarrà beneficio dalle opportunità rese possibili dal risparmio energetico e dalle caratteristiche prestazionali delle DDR4.
Sviluppata congiuntamente con Nanya e basata sulla tecnologia a 30 nanometri (nm) di Micron, la memoria DDR4 x8 da 4-gigabit (Gb) è il primo elemento di ciò che sarà destinato a essere un completo portafoglio del settore di moduli basati sulle memorie DDR4 e che comprenderà RDIMM, LRDIMM, 3DS, SODIMM e UDIMM (standard ed ECC). Per la tipologia “soldered down space” saranno anche disponibili i componenti x8, x16 e x32, con velocità iniziali fino a 2400 megatransfer al secondo (MT/s), incrementandola sino allo standard di 3200 MT/s definito da JEDEC (l’organismo di standardizzazione dei semiconduttori dell’Electronic Industries Alliance).
Nel momento in cui JEDEC definirà le specifiche DDR4, Micron avrà chip posizione per pienamente compatibile con il suo prodotto DDR4 a 30 nm da 4Gb. Sembra che il campionamento ai partner principali è cominciato all’inizio di quest’anno e la produzione in volumi è prevista per l’ultimo trimestre del 2012.
La prima azienda a battere tutti è stata ad ogni modo Samsung: a gennaio dello scorso anno è stata la prima ad annunciare un modulo DIMM DDR4 da 2GB con frequenza di 2133 MHz. La memoria è stata prodotta con processo produttivo a 30 nanometri e opera con una tensione di 1,2 volt.
[A cura di Mauro Notarianni]
