SK Hynix, un fornitore di memoria DRAM e flash sudcoreano che ha tra i propri clienti anche Apple, ha annunciato le memorie NAND Flash 3D a 2-layer da 256-gigabit (Gb) che sfruttano gli array a tripla cella. Impilando 1.5 celle in più rispetto alla precedente tecnologia con 48 layer, un singolo chip NAND Flash da 256Gb si possono ottenere 32 gigabyte di storage, memorie due volte più veloci nelle operazioni interne e fino al 20% più veloci nelle performance di lettura/scrittura rispetto ai NAND chip 3D a 48 layer.
L’azienda sudcoreana produce chip 3D a 48 layer da 256Gb sin da novembre dello scorso anno; i precedenti chip 3D NAND da 128GB con 36 layer sono stati lanciati ad aprile del 2016. I nuovi chip consentono di incrementare di circa il 30% la produttività manifatturiera (impilando più celle) sfruttando le esistenti strutture produttive. La produzione in volume è prevista per la seconda metà dell’anno.
Per i chip NAND flash integrati sugli iPhone 7 e iPhone 7 Plus, la casa di Cupertino si rivolge sia a SK Hynix, sia a Toshiba. Alcuni iPhone 7 integrano moduli con 48 layer 3D, una tipologia di NAND denominata BICS, non utilizzati prima in prodotti commerciali.
SK Hynix è una delle aziende in lizza per acquisire la divisione semiconduttori di Toshiba; l’azienda giapponese (quella che ha inventato le memorie NAND) fa gola per brevetti, strutture e fonderie varie.
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