Dopo aver completato lo sviluppo del processo produttivo a 32 nanometri (un miliardesimo di metro) che dovrebbe vedere la luce entro la fine di quest’anno, Intel è già al lavoro sul successore che vedrà l’utilizzo di transistor da 22 nm. Seguendo la strategia o meglio, lo schema alternato detto Tick Tock (un anno dedicato allo sviluppo di una nuova microarchitettura, il successivo al miglioramento del processo produttivo) la casa di Santa Clara potrebbe presentare, come già detto i 32 nm per la fine di quest’anno, la prossima generazione per il Natale 2010 ed i 22 nm per la fine del 2011.
Il processo produttivo, di cui parla Fudzilla, richiede almeno due anni (se si escludono le fasi preliminari già avviate) e si basa su transistor ancora più efficienti dal punto di vista energetico, ad alta densità e ad elevate prestazioni.
Intel è perfettamente in linea con la propria tabella di marcia e potrebbe ancora una volta rispettare i tempi di avvio previsti per la produzione. A dicembre dello scorso anno, nel documento e nella presentazione della tecnologia a 32 nm fu descritto un sistema in grado di incorporare la tecnologia con gate metallici ad alta costante k (high-k) di seconda generazione, la litografia ad immersione a 193 nm per gli strati di patterning critici e tecniche evolute di transistor strain. Queste caratteristiche implicano un miglioramento delle prestazioni e dell’efficienza energetica.
Fino a non molto tempo addietro il 22 nm era riportato come limite ultimo per la tecnologia DUV (Deep Ultra Violet) a 193 nm. Resta da vedere come e se effettivamente Intel riuscirà a superare tale limite.
[A cura di Mauro Notarianni]
