SK Hynix ha comunicato di avere avviato la produzione di DRAM 10-nm 8GB LPPDR4 destinata a dispositivi mobili, sfruttando il processo processo litografico a ultravioletti estremi (EUV) nei suoi ultimi chip.
È la prima volta che l’azienda sudcoreana usa il processo litografico a ultravioletti estremi per la DRAM. Samsung sfrutta già dallo scorso anno questo processo avanzato nella produzione di memorie, mentre Micron ha riferito che comincerà a farlo dal 2024.
L’EUV è una tecnologia litografica sfruttata durante la produzione dei chip che consente di trasferire i pattern con i circuiti sui wafer (le fette di materiale semiconduttore sulle quale vengono realizzati dei chip o die con circuiti integrati attraverso “drogaggi”). Usando l’EUV è possibile trasferire pattern con una precisione ancora maggiore, permettendo di progettare chip ancora più piccoli. Oltre che nelle memorie, questo procedimento è sfruttato anche da aziende come Taiwanese Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) e Samsung nei processi litografici per la creazione di chip.
Secondo SK Hynix, l’uso dell’EUV permette di ottenere fino al 25% di unità DRAM in più su un singolo wafer rispetto al precedente nodo 1znm e dovrebbe anche permettere di far fronte alla carenza di scorte e alla domanda crescente del mercato.
Dal punto di vista delle specifiche, le nuove DRAM LPDDR4 supportano 4,266Mbps e consumo fino al 20% in meno rispetto alle precedenti.
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