Toshiba ha annunciato l’espansione del suo avanzato stabilimento n. 5 per la produzione di semiconduttori (Fab 5) presso il centro di produzione Yokkaichi a Mie, in Giappone, per garantire spazio sufficiente per la produzione di memorie flash NAND realizzate con tecnologia di produzione innovativa, e delle future memorie 3D. La seconda fase di costruzione di Fab 5 comincerà entro la fine del prossimo mese di agosto e sarà completata nell’estate dell’anno prossimo.
Il produttore ha investito molto per ridurre e ottimizzare i consumi: è prevista illuminazione a LED per le camere bianche e la riduzione del risparmio energetico limitando il calore. La Fab 5 ridurrà del 13% le emissioni di anidride carbonica rispetto alla Fab 4; Toshiba ha migliorato le misure antisismiche e sviluppato un sistema di trasporto automatizzato. Nella Fab 4 sono mensilmente prodotti 800.000 wafer di silicio al mese; i numeri di produzione della Fab 5 saranno probabilmente in linea con la Fab 4.
La nuova Fab 5 supporterà il processo produttivo BiCS (Bit-Cost Scalable) per le memorie flash 3D Se finora le memorie sono costruite con il classico disegno 2D (layer su layer di transistor sovrapposti), il produttore ha intenzione di utilizzare dei transistor che si svilupperanno verso l’alto, in verticale, e che non hanno bisogno di substrati di comunicazione tra layer e layer. Benché questo tipo di tecnologia non sia ancora in produzione, Toshiba è una delle principali realtà a spingere verso la produzione delle memorie 3D NAND. Alla fine dello scorso anno la società ha annunciato la possibilità di realizzare dispositivi da 16 strati basati su un canale verticale da 50 nanometri di diametro. I primi campioni dovrebbero arrivare già quest’anno, mentre la produzione in volumi è attesa per il 2015. Il deprezzamento dello yen permette in questo momento a Toshiba di offrire prodotti a prezzi inferiori rispetto a quelli dei concorrenti coreani Hynix e Samsung.
