Samsung mostra le memorie che porteranno 10 o 12 GB RAM sui nuovi smartphone

Samsung ha presentato una nuova lineup di package di memoria all-in-one per smartphone che hanno la peculiarità di integrare sia memoria DRAM, sia memoria di storage. È il primo multichip package su base UFS (uMCP) da 12-gigabyte (GB) in grado di fornire elevate prestazioni.

L’annuncio è stato fatto nell’ambito del Samsung Tech Day annuale della società presso la sede centrale americana di Device Solutions a San Jose, California.

“Utilizzando i nostri chip all’avanguardia LPDDR4X da 24-gigabit (Gb), siamo in grado di offrire la massima capacità mobile di DRAM da 12GB non solo per smartphone di fascia alta ma anche per dispositivi di fascia media”, ha affermato Sewon Chun, Vice-direttore Generale di Memory Marketing presso Samsung Electronics.

ArsTecnica spiega che i multichip package basati su UFS di Samsung (uMCP), integrano 10GB o 12GB di memoria LPDDR4X-4266 (realizzati usando la seconda generazione di un processo produttivo a 10nm) e anche flash storage NAND con interfaccia UFS 3.0.

Giacché i nuovi moduli uMCP integrano quattro dispositivi DRAM, permettono ai SoC di nuova generazione con controller di memoria quad-channel LPDDR4X di arrivare a una larghezza di banda di 34.1 GB/s. Per quanto riguarda la NAND, il produttore sudcoreano non indica le possibili capacità di storage limitandosi a spiegare che i multichip uMCP possono essere forniti in vari formati. I dispositivi uMCP sono meccanicamente compatibili con la precedente generazione 8GB uMCPs, poiché sfruttano lo stesso package 254FBGA.

Attualmente solo pochissimi smartphone di fascia alta integrano 12 GB di memoria LPDDR4X ma secondo il produttore i nuovi uMCP permetteranno l’arrivo sul mercato di un numero sempre più grande telefoni con 10 GB o 12 GB di DRAM.

I nuovi uMCP sono già in produzione e di conseguenza smartphone con questo tipo di memorie dovrebbero arrivare nei prossimi mesi. I prezzi dei chip 10 GB uMCP e 12 GB uMCP non sono noti ma non dovrebbero essere molto diversi da equivalenti combinazioni DRAM e storage.