Samsung avvia la produzione di HBM2, la memoria più veloce al mondo

Partita la produzione dei primi package da 4-gigabyte di DRAM con la tecnologia High Bandwidth Memory (HBM2) di seconda generazione, tecnologia che consente di ottenere prestazioni sette volte superiori rispetto a quelle che è possibile ottenere con le attuali DRAM

HBM2

Samsung Electronics annuncia di avere cominciato a produrre i primi package da 4-gigabyte di DRAM con la tecnologia High Bandwidth Memory (HBM2) di seconda generazione, moduli destinati principalmente all’uso in sistemi di High Performance Computing (HPC), grafica avanzata, sistemi di rete ma anche server aziendali.

Secondo il produttore sud coreano le soluzioni HBM2 consentono di ottenere performance senza precedenti, con prestazioni sette volte superiori rispetto a quelle che è possibile ottenere con le attuali DRAM, con ovvie conseguenze in termini di reattività nei task di elaborazione high-end, incluso il calcolo parallelo, operazioni di rendering e il machine learning (l’apprendimento automatico usato in alcune aree dell’intelligenza artificiale).

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I moduli DRAM da 4GB HBM2 sfruttano un processo costruttivo a 20 nanometri, offrendo così miglioramenti in termini di efficienza energetica, affidabilità e la creazione di moduli di piccole dimensioni perfetti per sistemi HPC di nuova generazione e schede video. La memoria in questione fa seguito all’introduzione della memoria DDR4 di Samsung (RDIMM) con tecnologia 3D TSV (Through Silicon Via), una soluzione con packaging innovativo che interconnette verticalmente i die impilati, forando questi ultimi per consentire il passaggio degli elettroni.

Il package HBM2 da 4GB è creato accostando un die a stack nella parte inferiore e quattro core-die da 8-gigabit (Gb) su quella superiore. I due strati sono interconnessi da fori TSV e micro protuberanze. In un singolo die da 8Gb HBM2 ci sono 5.000 fori TSV, 36 volte in più rispetto a quelli utilizzati nel die dei moduli 8Gb TSV DDR4, con conseguenti miglioramenti nelle performance della trasmissione dati rispetto alle tradizionali connessioni con connettori.

Per il nuovo package DRAM Samsung vanta larghezza di banda di 256 GBps, il doppio rispetto al package DRAM HBM1, equivalente a un incremento sette volte maggiore della larghezza di banda di 36GBps dei moduli di chip DRAM GDDR5 da 4Gb al momento disponibili. Il produttore spiega che i moduli HBM2 migliorano l’efficienza energetica raddoppiando la larghezza di banda per watt rispetto alle soluzioni 4Gb-GDDR5 e integrano funzionalità ECC (error-correcting code) in grado di migliorare l’affidabilità complessiva.

Prima della fine dell’anno arriveranno package 8GB HBM2 DRAM, permettendo ai produttori di schede video di salvare spazio (più del 95%) rispetto alle soluzioni che sfruttano GDDR5 DRAM, con ovvi vantaggi per dispositivi compatti che richiedono l’uso di capacità di elaborazione ad alte prestazioni.

struttura DRAM HBM2