TSMC starebbe valutando la produzione di memorie 3D DRAM su richiesta di Nvidia, ma il colosso taiwanese ha già raffreddato le indiscrezioni ribadendo che intende restare concentrato sul proprio ruolo di foundry per chip logici.
TSMC, da sempre sinonimo di chip logici, potrebbe quindi avere valutato la possibilità di mettere un piede anche nel mondo delle memorie. Secondo una notizia riferita da The Information e ripresa da altre testate internazionali, il colosso taiwanese avrebbe iniziato a studiare piani per produrre DRAM 3D, una nuova generazione di memoria nella quale le celle vengono sviluppate anche in verticale invece di essere distribuite soltanto su un unico piano.
A spingere TSMC in questa direzione sarebbe stata Nvidia, il suo maggiore cliente, alle prese con una domanda di memoria per l’intelligenza artificiale che continua a mettere sotto pressione l’offerta mondiale. È un problema che riguarda ormai anche il mercato consumer: la scarsità di memorie e l’aumento dei prezzi di RAM e SSD stanno avendo conseguenze sui costi di computer, smartphone e altri dispositivi elettronici.
La testata americana cita due persone con conoscenza diretta delle discussioni. A coordinare la valutazione sarebbe Hsu Kuo-chin, vicepresidente di TSMC responsabile del packaging avanzato e con un passato in Micron: una competenza particolarmente pertinente se l’azienda decidesse realmente di esplorare un settore nel quale finora non ha prodotto direttamente le celle di memoria.
TSMC raffredda le indiscrezioni
Al momento non esistono né un calendario né volumi di produzione ufficiali. Si parla quindi di valutazioni e ipotesi industriali, non di fabbriche già in costruzione o di una decisione definitiva.
Dopo la pubblicazione della notizia TSMC ha inoltre ribadito di essere una foundry dedicata ai circuiti logici e di voler continuare a concentrarsi su questo ruolo. La dichiarazione raffredda sensibilmente l’ipotesi di un ingresso diretto nel mercato delle DRAM, anche se non chiarisce se le valutazioni preliminari descritte dalle fonti siano effettivamente avvenute.
Il report originale di The Information del 6 novembre sostiene invece che TSMC avrebbe cominciato a elaborare piani per la produzione di 3D DRAM proprio su richiesta di Nvidia. La distinzione è quindi importante: esiste un’indiscrezione circostanziata attribuita a persone a conoscenza del progetto, ma manca per ora una conferma del produttore.
Perché Nvidia ha bisogno di più memoria
Il contesto è quello che molti hanno iniziato a chiamare “RAMpocalypse”. I data center dedicati all’intelligenza artificiale consumano quantità crescenti di memoria, in particolare HBM, High Bandwidth Memory, progettata per trasferire grandi volumi di dati agli acceleratori AI con una larghezza di banda molto superiore rispetto alle DRAM tradizionali.
Samsung, SK hynix e Micron dominano il mercato mondiale delle DRAM e stanno destinando una quota crescente di investimenti, wafer e capacità produttiva alle memorie per server e AI, molto più redditizie. Questo limita la velocità con cui può aumentare l’offerta di DDR, LPDDR e altre memorie utilizzate su PC, notebook e smartphone e contribuisce alla pressione sui prezzi.
Per Nvidia avere più capacità disponibile non è quindi una questione di diversificazione teorica. Le memorie sono una componente essenziale degli acceleratori per l’intelligenza artificiale e un collo di bottiglia nella loro produzione può rallentare la disponibilità dei sistemi completi.
TSMC è già coinvolta nelle future memorie Nvidia
Un avvicinamento tra TSMC e il mondo delle memorie avanzate è comunque già in corso, anche senza arrivare alla produzione diretta delle celle DRAM.
Nvidia avrebbe chiesto a Samsung, SK hynix e Micron di utilizzare il processo a 3 nanometri di TSMC per produrre il base die della futura NVHBM, la memoria personalizzata sviluppata per i propri acceleratori.
Il base die è la parte logica collocata alla base dello stack HBM: gestisce comunicazioni e interfacciamento tra i vari strati di memoria e il processore. I core die che contengono effettivamente la DRAM resterebbero invece prodotti dagli specialisti delle memorie.
TSMC è quindi destinata ad avere un ruolo importante nelle future NVHBM di Nvidia, ma per la componente logica. Passare alla produzione diretta delle celle DRAM sarebbe un salto industriale molto più impegnativo.
Se TSMC decidesse realmente di compierlo diventerebbe inoltre, almeno in parte, concorrente di aziende con le quali oggi collabora. È un equilibrio particolarmente delicato con SK hynix, che lavora strettamente con TSMC sull’HBM e sta investendo cifre enormi nell’espansione della propria capacità produttiva.
Resta inoltre un punto non ancora chiarito dalle indiscrezioni: se l’interesse attribuito a Nvidia riguardi una vera 3D DRAM autonoma, tecnologie destinate alle future generazioni HBM oppure una combinazione delle due cose.
Nuove fabbriche o riconversione
Secondo quanto riportato, TSMC avrebbe valutato due strade: costruire impianti nuovi oppure acquistare uno stabilimento esistente e riconvertirlo alla produzione di memorie.
È una soluzione già utilizzata da altri produttori. Micron ha rilevato per circa 1,8 miliardi di dollari uno stabilimento di Powerchip a Taiwan con l’obiettivo di aumentare nel tempo la propria capacità produttiva di memorie.
L’esempio aiuta soprattutto a capire i tempi necessari. Acquistare una fabbrica non significa poter iniziare immediatamente a produrre chip avanzati: servono modifiche agli impianti, nuovi macchinari, qualificazione dei processi e mesi o anni per arrivare a rese industriali soddisfacenti.
La difficoltà sarebbe ancora maggiore per la 3D DRAM. L’obiettivo di queste architetture è aumentare la densità sviluppando verticalmente le strutture di memoria, ma il processo introduce nuove difficoltà di fabbricazione, controllo dei difetti e rendimento produttivo.
Samsung, SK hynix e Micron lavorano a queste tecnologie da anni e dispongono di un’esperienza nella produzione DRAM di massa che TSMC, nonostante la sua enorme competenza nei processi logici avanzati, dovrebbe costruire quasi da zero.
Non risolverebbe subito la crisi delle RAM
Anche nell’ipotesi in cui il progetto descritto da The Information fosse reale e TSMC decidesse di portarlo avanti, non sarebbe una soluzione per la carenza attuale.
La costruzione o riconversione degli impianti e soprattutto la messa a punto di un processo produttivo competitivo richiederebbero anni. Nel frattempo la pressione sul mercato delle memorie rimane elevata.
Le previsioni più recenti non indicano infatti una normalizzazione rapida. Team Group ritiene che la fase più difficile della carenza possa arrivare tra la fine del 2026 e la metà del 2027, mentre altri produttori vedono condizioni di offerta tese anche più avanti.
Per chi deve acquistare un computer o aumentare la RAM di un sistema, quindi, l’ipotetico ingresso di TSMC non cambierebbe i prezzi nei prossimi mesi.
Cosa potrebbe cambiare per Apple e per i Mac
Per Apple la vicenda è interessante soprattutto perché mostra quanto l’approvvigionamento delle memorie sia diventato strategico anche per i maggiori clienti di TSMC.
Apple dipende dalla foundry taiwanese per la produzione dei chip delle serie A e M, ma non esistono al momento indicazioni che l’azienda di Cupertino possa utilizzare una futura 3D DRAM prodotta da TSMC.
Mac, iPhone e iPad utilizzano inoltre memorie con caratteristiche e requisiti diversi rispetto alle HBM impiegate negli acceleratori AI di Nvidia. Non è quindi possibile trasferire automaticamente questo progetto alle future configurazioni Apple.
Nel lungo periodo un TSMC capace di produrre sia componenti logici sia alcune categorie di memoria potrebbe comunque aprire nuove possibilità di integrazione e packaging. Per ora, però, si tratta di uno scenario industriale e non di una tecnologia annunciata per i prodotti Apple.
Il rischio opposto: produrre troppo
C’è infine un problema tipico del mercato delle memorie. Le DRAM attraversano storicamente cicli molto pronunciati: quando i prezzi salgono e l’offerta diventa insufficiente, i produttori investono in nuove fabbriche. Quelle fabbriche richiedono però anni per entrare a regime e possono iniziare a produrre proprio quando la domanda ha rallentato.
L’effetto può essere un passaggio rapido dalla scarsità alla sovrapproduzione, con conseguente caduta dei prezzi.
È uno dei motivi per cui un eventuale ingresso di TSMC nella DRAM richiederebbe una valutazione molto diversa rispetto all’espansione della capacità per chip logici avanzati.
Se il progetto dovesse comunque concretizzarsi con volumi significativi, la comparsa di un quarto grande produttore potrebbe aumentare nel tempo capacità e concorrenza. Gli effetti sui prezzi arriverebbero però soltanto quando le nuove linee fossero operative e con rese sufficientemente elevate.
Nella nostra analisi sul superciclo delle memorie abbiamo ricostruito le precedenti crisi della DRAM e cosa accade quando nuova capacità produttiva arriva sul mercato. Per chi invece sta valutando un acquisto nei prossimi mesi, qui trovate le previsioni più recenti sui prezzi di RAM e SSD nel 2027.
