Samsung ha presentato una nuova generazione di memorie RAM ultra-veloci destinate ai dispositivi mobile e tascabili. Rispetto alla velocità di 1,6 Gigabyte al secondo delle RAM precedenti, i nuovi chip sono in grado di trasferire fino a 12,8 Gigabyte al secondo. Questo risultato è stato possibile incrementando sensibilmente il numero dei pin di collegamento dei nuovi chip che passano dai precedenti 32pin agli attuali 512 pin. Questo tipo di memorie è indicato con la sigla LPDDR2 DRAM, le iniziali di low-power DDR2 dynamic random access memory, in pratica memorie RAM DDR2 a basso consumo.
Il primo chip a utilizzare questa tecnologia ha una capacità di 128MB ed è costruito con tecnologia a 50nanometri: Samsung dichiara che nonostante il sensibile incremento delle prestazioni, i nuovi chip si memoria offrono un risparmio di energia pari a circa l’87% rispetto ai chip precedenti. Le memorie ultra veloci sono destinate agli smarpthone, ai dispositivi mobile e anche ai tablet. Anche se ovviamente nel comunicato di lancio Samsung non riporta il nome dei primi costruttori che le adotteranno, Apple potrebbe essere tra questi, considerando che Cupertino è da sempre uno dei principali acquirenti di memorie RAM mobile presso la multinazionale coreana.

