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Da Toshiba il chip per costruire SSD ancora più capienti e veloci

Toshiba Memory Corporation ha annunciato lo sviluppo di un nuovo chip-bridge con il quale promette la realizzazione di unità a stato solido (solid state drive, SSD) di grande capacità e ad alta velocità.

Utilizzando un bridge di piccole dimensioni e a basso consumo, la società è riuscita a collegare più memorie flash con meno linee di segnali ad alta velocità rispetto al metodo tradizionale senza chip-ponte. Questo risultato è stato annunciato il 20 febbraio a San Francisco, alla Conferenza internazionale 2019 dedicata ai circuiti a stato solido (International Solid-State Circuits Conference, ISSCC 2019).

Nelle unità SSD, i chip di memoria flash sono tipicamente collegati a un controller che gestisce le operazioni. All’aumentare dei chip di memoria flash collegati al controller, la velocità operativa diminuisce ed esistono dei limiti nel numero di chip che è possibile collegare. Per incrementare la capacità, bisogna aumentare il numero di interfacce ma questo comporta un enorme numero di linee ad alta velocità collegate al controller, rendendo complessa l’implementazione del cablaggio sulla scheda dell’SSD.

Nuovo chip-bridge di Toshiba

Toshiba ha risolto il problema con lo sviluppo di un chip-bridge che consente di collegare il controller e le memorie flash con tre nuove tecniche: un collegamento in cascata (a margherita) tra controller e bridge, una comunicazione seriale usando la PAM (Pulse Amplitude Modulation) e il jitter (la variazione di una o più caratteristiche di un segnale come ad esempio, l’ampiezza, la frequenza, la fase) per l’eliminazione del circuito PLL (Phase Locked Loop).

Senza addentrarci nei tecnicismi, usando queste tecniche l’overhead di risorse a carico del bridge è ridotto ed è possibile gestire grandi quantità di chip di memoria flash ad alta velocità con poche linee di segnale ad alta velocità.

Toshiba ha creato un chip-bridge che permetterà di creare SSD ancora più veloci e capienti

I prototipi di chip-bridge sono stati realizzati con un procedimento 28nm CMOS e l’azienda promette unità SSD ancora più veloci delle attuali, minori consumi e capacità di storage mai viste prime.

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