Intel, rivoluzione nei chip

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Intel riesce a sostituire il diossido di silicio usato come isolante nei processori con un differente materiale più efficiente. Spianata la strada all’€™arrivo di una nuova generazione di componenti con più transistor e minor consumo d’€™energia. I primi arriveranno entro fine anno.

Intel è riuscita ad impiegare in un processo di produzione dei chip un nuovo materiale isolante al posto dei diossido di silicio, usato da 40 anni, grazie al quale diventerà  possibile continuare a ridurre le dimensioni della circuiteria nei processori e quindi ad aumentare la loro potenza.

Secondo quanto si apprende da Intel stessa il composto è almeno in parte composto da Afnio, un elemento chimico che è in grado di offrire altissime capacità  di isolamento e fermare la dispersione degli elettroni. Proprio questa caratteristica è di grande rilevanza perché grazie all’€™Afnio i chip di Intel useranno in maniera più efficiente la corrente abbattendo anche il riscaldamento. I vantaggi in termini di riduzione della dispersione di corrente sarebbe stato quantificato in dieci volte rispetto ai vecchi sistemi. Secondo Intel grazie al nuovo materiale e all’€™uso di un gate del transistor in metallo si può pensare di incrementare del 20% la velocità  del clock rispetto ad un processore della generazione precedente.

La nuova tecnologia rappresenta un passo avanti molto significativo, secondo qualche osservatore addirittura storica, nel campo dei processori. In assenza di essa sarebbe stato molto più difficile per Intel scendere al di sotto della soglia dei 65 nanometri per la circuiteria dei suoi processori senza affrontare problemi di consumi e di surriscaldamento. Sempre grazie al composto a base di Afnio sarà  possibile continuare a rispettare la legge di Moore che prevede il raddoppio del numero dei transistor dei processori ogni due anni.

Il primo impiego della nuova tecnologia avverrà  nei processori della serie Penryn. Queste componenti non diverse dal punto di vista dell’€™architettura di base rispetto ai Conroe, ai Merom e ai Woodcrest oggi in commercio, avranno una circuiteria da 45 nanometri contro i 65 nanometri dei processori attuali. Penryn nella versione dual core avrà  410 milioni di transistor contro i 293 milioni della generazione attuale, la produzione inizierà  nella seconda metà  dell’€™anno e probabilmente sarà  nelle mani dei clienti in tempo per lanciare prodotti basati su di esso entro la fine del 2007.

Intel grazie al nuovo materiale ritiene di avere un vantaggio di diversi mesi, probabilmente di un anno, rispetto alla concorrenza. In realtà  Ibm, che collabora con Amd, Toshiba e Sony per i semiconduttori, ha annunciato contestualmente ad Intel una tecnologia simile. La sua introduzione sul mercato in prodotti commerciali potrebbe avvenire nel corso del 2008.