Toshiba Memory Corporation ha avviato la costruzione di un nuovo impianto di fabbricazione

Iniziata la costruzione del primo impianto di fabbricazione Toshiba a Kitakami City (Prefettura di Iwate), dedicato alla produzione di memorie flash 3D.

Rendering della nuova fab K1 che nascerà a Kitakami City
Rendering della nuova fab K1 che nascerà a Kitakami City

Toshiba Memory Corporation ha tenuto una cerimonia d’inaugurazione per il primo impianto di fabbricazione di semiconduttori (fab), deominato K1, a Kitakami, prefettura di Iwate, nel Giappone nord-orientale. Al suo completamento nell’autunno 2019, l’impianto sarà – a detta del produttore – uno dei siti manifatturieri più avanzato al mondo, dedicato alla produzione di memorie flash 3D.

La richiesta di memorie 3D Flash è in costante aumento per il settore server-enterprise, datacenter e smartphone. Toshiba Memory si attende il perdurare di una forte crescita a medio e lungo termine. La nuova struttura è indicata come in grado di apportare un importante contributo alla competitività dell’impresa d’intesa di concerto con le operazioni nello stabilimento giapponese di Yokkaichi.

Memoria BiCS FLASH 96-Layer con tecnologia QLC

Quando sarà completata, la nuova struttura sarà non solo la più grande fab mai realizzata Toshiba Memory ma anche la più avanzata. L’architettura tiene conto dei principi dell’isolamento sismico, è in grado di proteggere dagli effetti dei terremoti e riduce l’impatto ambientale sfruttando strutture a basso consumo energetico. Il sistema di produzione avanzato della nuova fabbrica sfrutterà l’intelligenza artificiale per aumentare la produttività.

Toshiba Memory riferisce che sta discutend il proseguire di possibili investimenti in joint venture con Western Digital. Recentemente Toshiba Memory America (TMA), sussidiaria di Toshiba Memory Corporation, ha annunciato di avere sviluppato il prototipo di una BiCS FLASH con 96 layer, memorie flash 3D, con tecnologia 4-bit-per-cell (quad level cell, QLC). Quanto ottenuto è considerato una “pietra miliare” dall’azienda, un elemento che consentirà di potenziare la capacità di memoria per singolo-chip ai massimi livelli di sempre.