Samsung presenta i primi chip di memoria NAND Flash a 20 nanometri

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Samsung annuncia la disponibilità dei primi chip di memoria NAND Flash realizzati con processo costruttivo a 20 nanometri. Saranno integrati nelle schede SD e anche nei dispositivi mobile e compatti, con capacità da 4GB fino a 64GB. Prestazioni migliori fino al 30% rispetto ai chip precedenti costruiti a 30nm.

A circa un anno di distanza dall’introduzione dei chip di memoria NAND Flash a 30 nanometri, Samsung ha presentato oggi i primi chip di questo tipo realizzati con processo costruttivo a 20 nanometri. I nuovi chip che sono già stati inviati sottoforma di campioni ai costruttori e agli ai clienti Samsung saranno disponibili con tagli da 4GB fino a 64GB nel corso dei prossimi mesi.

Il colosso IT coreano dichiara che i nuovi chip di memoria sfruttano anche controller e innovazioni di design dei circuiti in grado di migliorare sensibilmente le prestazioni. I nuovi chip Samsung saranno utilizzati per costruire schede di memoria SD e anche integrati all’interno di smartphone, cellulari e in generale all’interno dei dispositivi mobile e compatti. Secondo Samsung una schedina SD da 8GB costruita con le nuove memorie a 20 nanometri risulta fino al 30% più veloce rispetto ad una scheda identica ma realizzata con chip NAND della generazione precedente a 30 nanometri. Le prestazioni raggiunte permettono di catalogare le nuove SD come class 10, vale a dire con una velocità in lettura di 20 megabyte al secondo e di 10 megabyte al secondo in scrittura.