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Intel, pronti campioni di memoria da 25 nm con 3 bit per cella

Intel è riuscita a fare un importante passo avanti con le memorie Nand Flash ottenendo i primi campioni funzionanti con 3 bit per cella (3BPC) da 25 nanometri. Lo sviluppo ha consentito di realizzare sezioni più dense dalle esistenti memorie da 25 nm e in grado di arrivare a 8 GB in uno spazio che è il 20% in meno rispetto allo spazio utilizzato normalmente nello storage tradizionale. I dispositivi in grado di trarre vantaggi da tali tecnologie potrebbero essere: i lettori portatili per la riproduzione di musica, le chiavette USB, le memory card e tutti gli altri dispositivi che hanno la necessità di usare memoria in spazi ridotti.

Pare che alcuni importanti clienti abbiano già ricevuto i primi campioni del prodotto e dunque entro la fine dell’anno potrebbero arrivare i primi prodotti e dispositivi basati su questo modello. La tecnologia pare non avrà, invece, effetto sulla roadmap degli SSD per la quale, sono ancora necessarie memorie veloci e a bassa densità.

[A cura di Mauro Notarianni]

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