L’Hybrid Memory Cube Consortium (HMCC), guidato da Micron Technology e Samsung Electronics ha annunciato l’ingresso di Microsoft nel consorzio. HMC utilizza TSV avanzati – conduttori verticali che collegano elettricamente una pila di singoli chip – per combinare dispositivi logici ad alte prestazioni con la DRAM d’avanguardia di Micron.
L’ampiezza di banda e l’efficienza fornite dall’HMC rappresentano un grande passo avanti rispetto alle funzionalità dei dispositivi attuali. I prototipi di HMC, ad esempio, lavorano con un’ampiezza di banda di 128 GigaByte al secondo (GB/s). In confronto, i dispositivi attualmente più avanzati si attestano a 12,8 GB/s. L’HMC richiede inoltre il 70 per cento di energia in meno per il trasferimento dei dati, pur offrendo un piccolo “form factor”, appena il 10 percento dell’ingombro di una memoria tradizionale. HMC permetterà di ottenere una nuova generazione di prestazioni, in applicazioni che vanno dal networking su grande scala e high-performance computing, all’automazione industriale, fino ai prodotti di consumo.
Micron e Samsung (sviluppatori e membri originari dell’HMCC) stanno lavorando a stretto contatto con partner quali: Altera, IBM, Open-Silicon, Xilinx e ora anche Microsoft per accelerare l’adozione della tecnologia.
[A cura di Mauro Notarianni]
