Toshiba e Western Digital hanno inaugurato un nuovo impianto per la produzione di memorie Flash 3D

Inaugurato un nuovo impianto all’avanguardia per la produzione di semiconduttori e un centro di ricerca e sviluppo che si occuperà di memorie presso il centro di produzione di Yokkaichi, nella prefettura di Mie, in Giappone

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La "Clean room" nella Fab 6 di Yokkaichi - Foto: Photo: Business Wire

Toshiba Memory e Western Digital hanno celebrato l’inaugurazione del nuovo “Fab 6”, impianto all’avanguardia per la produzione di semiconduttori e un centro di ricerca e sviluppo presso il centro di produzione di Yokkaichi, nella prefettura di Mie, in Giappone.

Toshiba Memory ha iniziato la costruzione di Fab 6, un impianto dedicato alla produzione di memoria flash 3D, nel febbraio 2017. Le due aziende hanno installato strumenti di produzione all’avanguardia dedicati ai processi di fabbricazione chiave, compresa deposizione dei materiali e incisione. La produzione in serie delle memorie flash 3D con 96 layer nella nuova fab è stata avviata all’inizio di questo mese.

La richiesta di memorie flash 3D è in crescita nel settore server enterprise, nei data center e in quello degli smartphone e si prevede che continuerà a espandersi ulteriormente nei prossimi tre anni. Ulteriori investimenti per aumentare la capacità produttiva, fanno sapere le due aziende, saranno fatti in funzione dell’evoluzione dei mercati.

La "Clean room" nella Fab 6 di Yokkaichi - Foto: Photo: Business Wire
La “Clean room” nella Fab 6 di Yokkaichi – Foto: Photo: Business Wire

Il Memory R&D Center (centro di ricerca e sviluppo) è adiacente alla Fab 6; ha iniziato le sue attività a marzo di quest’anno e si occuperà di indagare promuovere progressi nel settore delle memorie flash 3D.

Toshiba Memory e Western Digital spiegano di voler continuare ed estendere la loro leadership nel settore delle memorie sviluppando attivamente iniziative volte “a rafforzare la competitività, portare avanti congiuntamente lo sviluppo delle memorie 3D flash e investendo capitali in base in funzione delle tendenze del mercato”.

Il Dr. Yasuo Naruke, Presidente e CEO of Toshiba Memory ha dichiarato: “Siamo entusiasti dell’opportunità di espandere il mercato dell’ultima generazione di memorie flash 3D. La Fab 6 e il Memory R&D Center ci consentono di mantenere la nostra posizione di protagonisti nel mercato delle memorie flash 3D”.

Steve Milligan, CEO di Western Digital ha dichiarato di essere felice per l’apertura delle nuove strutture. “Abbiamo potenziato la produzione delle 3D-NAND a 96 layer per far fronte a tutte le opportunità di mercato, da quello consumer alle applicazioni nel settore mobile, dal cloud ai data center”.