Le memorie Toshiba viaggiano verso i 15 nanometri. L’azienda giapponese ha annunciato di avere sviluppato la prima tecnologia di processo con questo livello di miniaturizzazione che è il più avanzato al mondo per memorie flash NAND a 128-gigabit (16 gigabyte) 2-bit-per-cell.
I nuovi chip consentono di ottenere le stesse identiche velocità di scrittura di quelli di seconda generazione realizzati con il processo a 19 nm, ma permettono di migliorare il transfer rate arrivando a 533 megabit al secondo, un miglioramento di 1.3 volte permesso dall’interfaccia ad alta velocità. La società svilupperà controller per memorie NAND flash e prodotti con 3 bit per cella destinati inizialmente a smartphone e tablet e poi a controller destinati a unità SSD per computer.
La produzione di massa con la nuova tecnologia inizierà alla fine di aprile nella Fab 5 di Yokkaichi presso una struttura (fab) per la fabbricazione di flash NAND di Toshiba dove si creano oggi memorie da 19 nm di seconda generazione.
