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Intel e Micron raddoppieranno la densità  degli SSD entro l’estate

Intel e Micron sono al lavoro per ridurre ulteriormente i circuiti NAND, raddoppiando la densità dei loro chip flash e abbassando il costo dei drive allo stato solido (SSD).

Per quest’estate, IM Flash Technologies (IMFT), una joint venture di Micron e Intel, annuncerà il chip flash NAND a 20 nanometri (nm), che prenderà il posto del circuito a 25 nm rilasciato quasi un anno fa.

La nuova scheda PCIe, denominata P320h, sarà il successore dell’hard disk allo stato solido SSD P300 di prima classe enterprise, realizzata su una memoria flash NAND singola cellula (single-level cell o SLC).

P320h utilizzerà la tecnologia SLC in combinazione con la tecnica RAIN (redundant array of independent NAND) che utilizza un’architettura di storage grid a blocchi che include i processori e il disco di memoria su un’unica unità.

Tuttavia, Intel non crede nel futuro degli SDD SLC che rappresentano solo il 10% del mercato delle unità allo stato solido, ma Kevin Kilbuck, director of strategic marketing dei prodotti NAND di Micron, sostiene invece che nel 2014 proprio gli SDD SLC rappresenteranno il 50% del mercato storage.

Al momento, i prodotti più venduti sia di Intel, sia di Micron sono SSD di fascia consumer, che superano di gran lunga i rispettivi prodotti SLC. Secondo Micron, il sempre più diffuso cloud spingerà la domanda di prodotti flash ad alte prestazioni per aiutare infrastrutture server ad offrire contenuti come lo streaming online dei video.

La vera sfida di IM Flash Technologies saranno i problemi inerenti alla contrazione della dimensione dei circuiti utilizzati nei semiconduttori, in particolare un aumento dei tassi di errore dei dati dovuta all’emorragia degli elettroni attraverso le pareti di silicio sempre più sottili, che richiede lo sviluppo di codice più sofisticato per le correzione degli errori.

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