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Samsung pronta a produrre RAM a 18 nanometri

Samsung Electronics è riuscita a superare alcune barriere che in precedenza ne impedivano la produzione e per la prima volta ha avviato la produzione dalle memorie D-RAM nel range dei 10 nm. I competitor sono ancora legati alla produzione delle memorie con tecnologie a 20 nm e secondo vari esperti prima di riuscire a raggiungere Samsung avranno bisogno di almeno un paio di anni.

Benché il prezzo della memoria tende a scendere al ribasso, ci si attende che l’azienda sud coreana riuscirà ad ottenere profitti record di gran lunga superiore rispetto ai concorrenti, riducendo i costi di produzione con la conversione dei procedimenti esistenti.

I chip DRAM vengono acquistati direttamente da vari produttori, che includono Samsung, Micron, SK Hynix, Powerchip, Nanya e altri, spediti ai siti di produttori di moduli di memoria veri e propria. I moduli prodotti a 18 nanometri sono realizzati usando un processo produttivo denominato 1X-nano che rimpiazza quello a 20 nm implementato durante l’inizio del 2014. Samsung ha dimostrato di riuscire ad adattare velocemente il processo produttivo, proponendo tecnologie in grado di adattarsi all’evoluzione delle tecnologie disponibili. Nelle memorie DRAM ogni cella consiste in un condensatore e un transistor collegati l’uno all’altro, rendendo molto complesso lo scaling rispetto alle memorie NAND Flash nelle quali la cella ha bisogno solamente di un transistor.

La struttura di una cella di una D-RAM Samsung da 20 nm. La struttura a nido d'ape permette di incrementare la capacità del 57%
La struttura di una cella di una D-RAM Samsung da 20 nm. La struttura a nido d’ape permette di incrementare la capacità del 57%

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