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Micron, novità per le memorie NAND a 176 strati e DRAM 1α

Micron Technology ha presentato alcune novità che riguardano la sua gamma di soluzioni di memoria e archiviazione basate sulla tecnologia NAND a 176 strati e DRAM 1α (1-alpha), oltre che la prima soluzione di archiviazione flash universale 3.1 per le applicazioni automobilistiche. L’ampliamento della gamma è in linea con la visione dell’azienda di accelerare le informazioni basate sui dati attraverso innovazioni a livello di memoria e di archiviazione che consentono nuove funzionalità, dal data center all’intelligent edge.

Il presidente e CEO di Micron, Sanjay Mehrotra, ha annunciato le novità durante un keynote al Computex, in cui ha condiviso la sua visione dell’innovazione informatica e il ruolo centrale giocato da memoria e archiviazione nel consentire alle imprese di cogliere il pieno potenziale dell’economia dei dati.

Micron ha anche annunciato l’avvio della produzione di massa della prima SSD PCIe di quarta generazione, realizzata con la prima NAND al mondo a 176 strati. Questo mese l’azienda renderà disponibile sul mercato anche la prima DRAM di tipo LPDDR4X con nodo 1α. La tecnologia LPDDR4x costituisce la specifica JEDEC più recente per DRAM di quarta generazione a basso consumo con tensione di ingresso e uscita elevata per consumi notevolmente ridotti, rendendola una soluzione ideale per i dispositivi di elaborazione portatili.

 Micron, novità per le memorie NAND a 176 strati e DRAM 1α

Il produttore rende disponibile LPDDR4x con nodo 1α, poco dopo la presentazione dei primi prodotti DRAM con nodo 1α avvenuta nel gennaio 2021. L’azienda ha anche eseguito la convalida della DDR4 con nodo 1α sulle principali piattaforme di data center, compresa la terza generazione di processori AMD della famiglia EPYC. Entrambi sono prodotti in serie negli impianti all’avanguardia di fabbricazione DRAM di Micron a Taiwan, tra cui il nuovo impianto A3 di Taichung.

La tecnologia 1α consente miglioramenti dell’efficienza energetica per la memoria, creando dei benefici in termini di mobilità per i notebook, consentendo una maggiore durata della batteria per gli ambienti di lavoro, di studio o domestici.

Il nodo 1α fornisce anche un miglioramento del 40% nella densità di memoria e fino al 20% di risparmio energetico per l’utilizzo mobile rispetto al precedente LPDDR4x con nodo 1z. Si tratta del risparmio energetico ideale per i telefoni cellulari che devono preservare la durata della batteria, particolarmente vantaggioso nei casi di utilizzo intensivo di memoria, come durante l’acquisizione di foto e video.

Nellambito dell’intelligent edge, Micron ha annunciato che sta effettuando un campionamento delle densità a 128 GB e 256 GB della NAND a 96 strati come parte della nuova gamma di prodotti NAND con memoria UFS 3.1 destinati ad applicazioni automobilistiche. Con l’evolversi dei sistemi di infotainment, che includono ora schermi ad alta risoluzione e funzionalità di interfaccia uomo-macchina basate sull’intelligenza artificiale (IA), l’offerta UFS 3.1  risponde alle esigenze del mercato offrendo un’archiviazione a elevata velocità di trasmissione e a bassa latenza.

Micron UFS 3.1 è caratterizzata da prestazioni di lettura due volte più veloci rispetto a UFS 2.1, consentendo tempi di avvio rapidi e riducendo al minimo la latenza per l’infotainment a bordo dei veicoli ad alta intensità di dati e per i sistemi avanzati di assistenza alla guida (ADAS). UFS 3.1 fornisce anche prestazioni prolungate di scrittura più rapide del 50%, per tenere il passo con le crescenti esigenze di archiviazione locale in tempo reale dei dati di sensori e videocamere per i sistemi ADAS di livello 3+ e per applicazioni black box.

La società di ricerche di mercato e di consulenza strategica Yole Développement (Yole) prevede che il mercato NAND nel settore automobilistico arriverà ai 3,6 miliardi di dollari nel 2025, quasi il quadruplo rispetto al 2020, in cui il valore era di 0,9 miliardi di dollari. I veicoli si basano sempre di più sui software e questi nuovi centri di dati richiedono capacità di archiviazione ad alte prestazioni per rendere prontamente disponibili grandi volumi di informazioni destinate a un’elaborazione quasi istantanea. I veicoli abilitati ADAS ora contengono più di 100 milioni di righe di codice che devono essere memorizzate e lette rapidamente per garantire esperienze utente più rapide e processi decisionali veloci sull’edge.

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