Jeff Oshima, Senior manager di Toshiba, ha tenuto un keynote nel corso del Non-Volatile Memory Workshop (NVMW) che si è svolto recentemente all’Università della California a San Diego. Toshiba è un nome importante nel settore dello storage essendo la società che negli anni ’80 ha sviluppato una nuova memoria a semiconduttore, la memoria Flash, contribuendo allo sviluppo di una vasta gamma di applicazioni, tra cui schede di memoria e i dischi allo stato solido (SSD).
L’evento NVMW è curato dal Non-Volatile Research Lab e dal Center for Memory and Recording Research dell’Università della California e attrae ricercatori di tutto il mondo. Oshima ha presentato gli investimenti nel settore da parte della sua azienda, evidenziando tecnologie per le memorie flash quali nuove interfacce e le celle Quad level.
La tecnologia Quadruple Level Cell (QLC) permette di aumentare la densità dei dati nelle unità SSD utilizzando 4 bit per cella, anziché i due o i tre bit consentiti dalle memorie flash TLC (Triple Level Cell) e MLC (Multi-level Cell), consentendo in poche parole di memorizzare più dati e raggiungere maggiori valori di densità. Nonostante alcuni limiti intrinseci (il numero massimo di scritture nelle celle) è possibile ad ogni modo di creare unità dalla vita pari a quelle delle unità SSD attuali (soprattutto se le unità con QLC saranno destinate all’archiviazione dati anziché in ambienti dove sono ricorrenti frequenti operazioni di lettura e scrittura). La tecnologia in questione permetterà la realizzazione di unità SSD da 2,5″ con tagli fino a 88TB. Servirà ancora qualche anno prima di vedere prodotti con queste capacità sul mercato ma Toshiba afferma che la strada è tracciata.
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