Al Consumer Electronics Show (CES) di Las Vegas, Toshiba Memory Corporation (TMA) ha mostrato l’uso delle memorie BiCS FLASH 3D in varie applicazioni, incluse una nuova serie di unità SSD NVMe, la serie RC100.
Le memorie flash tridimensionali (3D) BiCS FLASH con struttura a celle impilate sono quelle annunciate ad agosto del 2016, una generazione di memorie con incorporate tecnologia di 3 bit per cella (cella a triplice livello, triple-level cell o TLC) che consentono di raggiungere una capacità di 256 gigabit (32 gigabyte).
L’azienda ha continuato a fare progressi nel settore, annunciando l’introduzione di un die da 512Gb a 96 layer, il debutto del primo dispositivo con tecnologia quadruple-level cell (QLC) e l’arrivo della tecnologia denominata Through Silicon Via (TSV) a 3 bit per cella (triple-level cell, TLC).
A Las Vegas sono state mostrate le unità SSD “RC100” NVMe con attacco M.2 che vantano un form factor di 22 x42 mm, bassi consumi, “eccellenti performance” e “prezzi abbordabili” (ma non specificati). Alla fiera dell’elettronica di consumo il produttore ha mostrato “XS700”, una piccola ed elegante unità SSD esterna tipo “rugged” (particolarmente robusta e resistente), dispositivo che integra la tecnologia BiCS FLASH a detta del produttore progettata specificatamente tenendo conto di portabilità e affidabilità. Prezzi e indicazioni sulla data di effettiva disponibilità del prodotto non sono stati comunicati.
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