Importante passo avanti nel mondo delle memorie a cambiamento di fase

Una tecnologia vecchia di trent’anni, potrebbe presto rinascere sotto nuove forme ed essere nuovamente apprezzata. Ingeneri del materiale alla Johns Hopkins University sono riusciti a cambiare le proprietà di elementi utilizzati nei materiali delle memorie a cambiamento di fase impiegati bei CD-RW e DVD-RW, un metodo che potrebbe consentire la realizzazione di sistemi di memorizzazione (supporti ottici, magnetici e Flash) a densità elevate, più duraturi e più veloci di quelli attuali. Queste memorie non volatili sfruttano le proprietà fisiche di una lega composta da cristalli di Germanio, Antimonio, e Tellurio (materiali calcogenuri utilizzati nei dischi ottici re-scrivibili, come i CD-RW e i DVD-RW) che hanno la proprietà di cambiare fase (da cristallina ad amorfa e viceversa) quando sono percorsi da corrente di una determina intensità. Il passaggio tra le due fasi è ottenuto all’aumento di calore subito dalla lega calcogenura al passaggio di corrente. Sfruttando questa proprietà, già in passato è stato possibile realizzare memorie allo stato solido, nella quale lo stato logico 1 (bassa resistenza elettrica) corrisponde alla fase cristallina, mentre lo stato logico 0 (elevata resistenza elettrica) corrisponde alla fase amorfa.

I ricercatori della Johns Hopkins University hanno ora scoperto un metodo per cambiare le proprietà fisiche del media base, rallentando la fase di cambiamenti da amorfa a cristallina e aumentando la densità disponibile per i dati sulla superfice di supporto. Le memorie PCM sono sulla carta molto promettenti e potrebbero consentire in futuro di superare vari limiti delle tecnologie attuali.  Anche le memorie PCM sono soggette a usura, ma possono ad ogni modo sopportare fino 10 milioni di cicli di scrittura contro i 100.000 degli attuali sistemi di memorizzazione flash. Tra i big impegnati in questo settore IBM e Intel.

[A cura di Mauro Notarianni]