Un guasto in una fabbrica Samsung di Pyeongtaek, di fatto un black out, ha interrotto la produzione e danneggiato decine di migliaia di wafer per la produzione di memorie. Stando a quanto riferiscono i media locali, l’interruzione dell’elettricità ha distrutto un enorme quantitativo del materiale di base sul quale vengono incisi circuiti integrati depositando sottili strati di materiali. Secondo AnandTech (che a sua volta cita il taiwanese TechNews) il disservizio si è verificato il 9 marzo ed è durato 30 minuti, ha colpito tra i 50.000 e i 60.000 wafer di memorie flash V-NAND, in pratica l’11% della produzione mensile di Samsung e il 3,5% della produzione mondiale.
Nella struttura di Pyeongtaek, in Corea del Sud, Samsung produce i chip V-NAND a 64-layer sfruttati in vari ambiti. Queste memorie sono realizzate utilizzando un’architettura a 64 strati di celle impilati verticalmente invece di cercare di ridurre la lunghezza e la larghezza delle celle per rientrare nei moderni fattori di forma compatti. Il risultato è una densità maggiore e una resa migliorata in termini di prestazioni, oltre a un’impronta più ridotta.
La struttura in questione è una delle più grandi al mondo per la produzione delle memorie flash e dunque qualsiasi interruzione nella produzione ha effetto a livello globale nelle memorie non-volatili. Le linee di produzione non sono ad ogni modo danneggiate e le conseguenze dovrebbero essere limitate.
Non è la prima volta che cali di tensione accadono in stabilimenti per la produzione di semiconduttori; quando questi problemi avvengono i produttori hanno tipicamente a disposizione scorte che consentono di far fronte alle richieste. Samsung stessa ha bisogno dei chip NAND per i nuovi Galaxy S9/S9+. Il produttore sud coreano ha in programma il completamento della nuova struttura di Xi’an che consentirà di portare la produzione da 120.000 wafer al mese fino a 200.000. La costruzione è iniziata nel 2014 e al termine dei lavori costerà 7 miliardi di dollari.
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