Per incrementare prestazioni e durata le nuove unità Samsung SSD 850 EVO sono realizzate impiegando le memorie di ultima generazione. Le celle a 3 bit di queste nuove unità SSD sono costruite con tecnologia proprietaria 3D Vertical NAND, siglata V-Nand: la multinazionale sud coreana dichiara caratteristiche e prestazioni indicate per qualsiasi computer e anche per qualsiasi tipo di applicazione. La velocità di lettura sequenziale arriva fino a 540 megabyte al secondo mentre in scrittura fino a 520 megabyte al secondo. I modelli da 500 GB e anche quello da 1 terabyte sono garantiti per la scrittura di 80 GB di dati ogni giorno per 5 anni, offrendo così una elevata affidabilità.
La versione top da 1 terabyte integra inoltre la tecnologia Samsung TurboWrite per offrire velocità di scrittura casuale fino a 90K IOPS, rendendo così disponibile un maggiore spazio di archiviazione di memoria per grandi quantità di dati e anche per le operazioni multi-tasking.
Le nuove unità Samsung SSD 850 EVO sono in arrivo entro fine mese nelle capacità di 120 GB, 250 GB, 500 GB e 1 TB. Nel 2015 arriveranno anche versione di Samsung SSD 850 EVO con collegamento mSATA e formato M.2 basata sulla tecnologia Samsung 3bit V-NAND.
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