Da Intel e Micron, una NAND Flash da 20nm per lo storage di 128Gbit

Intel e Micron hanno congiuntamente annunciato il primo dispositivo multi-level cell (MLC) NAND flash da 128Git creato con tecnologie costruttive da 20 nanometri. L’IM Flash Technologies (joint venture tra Intel e Microon) avvierà da subito la produzione in volume di dispositivi nella variante meno capiente da 64GB. L’annuncio è interessante e in sostanza significa che sfruttando solo otto piccoli chip si potrebbe realizzare uno SSD da 128GB di piccolissime dimensioni con ovvi vantaggi per i costruttori di notebook, tablet e smartphone. Con i dispositivi da 128GB è possibile ottenere velocità di trasferimento di 333 megatransfer per secondo (MT/s), in conformità alle specifiche ONFI 3.0, standard che prevede, tra l’altro, la riduzione del numero di chip enable (CE) e un numero inferiore di pin controller, rendendo il PCB più efficiente e diminuendo i costi. I primi campioni dei nuovi chip saranno disponibili a gennaio, mentre la produzione in grandi quantità partirà nel corso della prima metà del 2012.

[A cura di Mauro Notarianni]