Da SanDisk e Toshiba memorie Flash X3 a 32 nanometri

Con un annuncio congiunto alla International Solid State Circuits Conference i due costruttori hanno presentato le prime memorie NAND Flash X3 realizzate a 32 nanometri: permetteranno di raddoppiare la capacità  di memoria delle schede microSD. Si tratta di chip di memoria in grado di memorizzare 3 bit per singola cella con capacità  di 32 gigabit. Grazie alla nuova tecnologia di costruzione a 32 nanometri le nuove memorie possono essere direttamente integrate nelle schede microSD e anche nei dischi allo stato solido.

SanDisk e Toshiba dichiarano che si tratta del chip NAND Flash più piccolo mai ottenuto finora. Nonostante la riduzione delle dimensioni è stato possibile mantenere i livelli di prestazioni in lettura e scrittura possibili con il processo di fabbricazione a 43 nanometri grazie all’architettura All Bit-Line, siglata ABL brevettata da SanDisk, oltre a una serie di innovazioni negli algoritmi e nel design del sistema. Le nuove memorie entreranno in produzione nella seconda metà  del 2009.