Problemi nella produzione di memorie NAND flash a 3 bit?

I primi lotti delle nuove memorie NAND flash a 3-bit, caratterizzati da un’architettura multi-level-cell (MLC) e processo di fabbricazione a 30nm sembra stiano creando qualche problema ai produttori Coreani. I produttori di moduli di memoria lamentano scarsa affidabilità  e performance inferiori rispetto agli attuali modelli che sfruttano chip da 2-bit per cella. A riferirlo è una fonte anonima riportata dal sito DigiTimes. La stessa fonte riporta che i primi lotti di memorie flash sono stati distribuiti solo in Cina e Stati Uniti presso le aziende produttrici del settore ma l’unico produttore statunitense che ha ricevuto i moduli ha restituito i lotti a causa dell’instabilità  dei prodotti.

Secondo quanto riportano progettisti dei controller dei chip, le memorie NAND flash a 3-bit sfruttano tecnologie ancora immature e saranno necessari almeno altri tre mesi per individuare e risolvere i problemi d’instabilità  e compatibilità .

I produttori di moduli di memoria con base a Taiwan hanno ricevuto soltanto alcuni campioni di chip NAND a 3-bit dai vendor coreani e questi ultimi starebbero lavorando di concerto con i fornitori di controller. I big taiwanesi sperano di iniziare a commercializzare i prodotti entro il primo trimestre del 2010 riferiscono altre fonti. Secondo previsioni in precedenza annunciate il 70-80% di chip a 2 bit per cella sarà  sfruttato nei flash drive entry-level, le espansioni di memoria per computer, invece, sfrutteranno dal 2010 chip a 3 bit per cella.

I chip NAND a 3-bit dovrebbero essere in grado di garantire, rispetto alle attuali soluzioni a 2-bit, riduzione dei costi per il consumatore e consentire la diffusione di dispositivi di storage con elevata densità  per la memorizazzione dei dati.
[A cura di Mauro Notarianni]